JAN1N3768

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N3768
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
Livret des spécifications:	JAN1N3768.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4877 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4877 pcs

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Spécifications de JAN1N3768

Modèle de produit	JAN1N3768	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4877 pcs	Fiche technique	JAN1N3768.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	35A
Tension - Ventilation	DO-5	Séries	Military, MIL-PRF-19500/297
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms	1086-16818 1086-16818-MIL	Type de montage	Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	JAN1N3768
Description élargie	Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5	Configuration diode	10µA @ 1000V
La description	DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB	Courant - fuite, inverse à Vr	1.4V @ 110A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1000V (1kV)	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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