JAN1N1202AR

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N1202AR
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Livret des spécifications:	JAN1N1202AR.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5398 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5398 pcs

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Spécifications de JAN1N1202AR

Modèle de produit	JAN1N1202AR	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5398 pcs	Fiche technique	JAN1N1202AR.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard, Reverse Polarity	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	12A
Tension - Ventilation	DO-203AA (DO-4)	Séries	Military, MIL-PRF-19500/260
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms	1086-16249 1086-16249-MIL	Type de montage	Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	JAN1N1202AR
Description élargie	Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)	Configuration diode	5µA @ 200V
La description	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	Courant - fuite, inverse à Vr	1.35V @ 38A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	200V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 150°C

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Après vente
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