2731GN-110M

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2731GN-110M
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Livret des spécifications:	2731GN-110M.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	212 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 212 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

5 pcs: $146.508

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Spécifications de 2731GN-110M

Modèle de produit	2731GN-110M	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	212 pcs	Fiche technique	2731GN-110M.pdf
Tension - Nominale	150V	Tension - Sortie	125W
Tension - Ventilation	55QP	Séries	-
État RoHS	Bulk	Polarisation	55QP
Noise Figure	60V	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	2731GN-110M	La fréquence	2.7GHz ~ 3.1GHz
type de FET	11.7dB ~ 12.2dB	Description élargie	RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 11.7dB ~ 12.2dB 125W 55QP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	250mA	La description	FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Note actuelle	2.5mA	Courant - Test	-
Courant - Collecteur (Ic) (max)	2 N-Channel (Dual) Common Source

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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