1N5622US

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N5622US
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Livret des spécifications:	1N5622US.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	17822 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17822 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

153 pcs: $2.198

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Spécifications de 1N5622US

Modèle de produit	1N5622US	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	17822 pcs	Fiche technique	1N5622US.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1A
Tension - Ventilation	D-5A	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction	2µs	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	7 Weeks
Référence fabricant	1N5622US	Description élargie	Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Configuration diode	500nA @ 1000V	La description	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Courant - fuite, inverse à Vr	1.3V @ 3A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1000V (1kV)
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 200°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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