DMT8012LPS-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMT8012LPS-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Livret des spécifications:	DMT8012LPS-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	150105 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150105 pcs

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Spécifications de DMT8012LPS-13

Modèle de produit	DMT8012LPS-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	150105 pcs	Fiche technique	DMT8012LPS-13.pdf
Tension - Test	1949pF @ 40V	Tension - Ventilation	PowerDI5060-8
Vgs (th) (Max) @ Id	17 mOhm @ 12A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9A (Ta), 65A (Tc)
Polarisation	8-PowerTDFN	Autres noms	DMT8012LPS-13DITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	16 Weeks
Référence fabricant	DMT8012LPS-13	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	34nC @ 10V
type de IGBT	±20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80V	Ratio de capacité	2.1W (Ta), 113W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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