DMN3007LSS-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN3007LSS-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Livret des spécifications:	DMN3007LSS-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	159573 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 159573 pcs

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Spécifications de DMN3007LSS-13

Modèle de produit	DMN3007LSS-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	159573 pcs	Fiche technique	DMN3007LSS-13.pdf
Tension - Test	2714pF @ 15V	Tension - Ventilation	8-SOP
Vgs (th) (Max) @ Id	7 mOhm @ 15A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	16A (Ta)
Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	DMN3007LSS13 DMN3007LSSDITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	16 Weeks
Référence fabricant	DMN3007LSS-13	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	64.2nC @ 10V
type de IGBT	±20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.1V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30V	Ratio de capacité	2.5W (Ta)

Mode de transport
Après vente
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