DMN10H120SFG-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMN10H120SFG-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Livret des spécifications:	DMN10H120SFG-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	234470 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 234470 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DMN10H120SFG-7

Modèle de produit	DMN10H120SFG-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	234470 pcs	Fiche technique	DMN10H120SFG-7.pdf
Tension - Test	549pF @ 50V	Tension - Ventilation	PowerDI3333-8
Vgs (th) (Max) @ Id	110 mOhm @ 3.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8A (Ta)
Polarisation	8-PowerWDFN	Autres noms	DMN10H120SFG-7DITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	16 Weeks
Référence fabricant	DMN10H120SFG-7	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10.6nC @ 10V
type de IGBT	±20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100V	Ratio de capacité	1W (Ta)

Mode de transport
Après vente
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