DGD2104MS8-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DGD2104MS8-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	IC GATE DRVR HV SO8
Livret des spécifications:	DGD2104MS8-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	99993 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de DGD2104MS8-13

Modèle de produit	DGD2104MS8-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	IC GATE DRVR HV SO8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	99993 pcs	Fiche technique	DGD2104MS8-13.pdf
Tension - Alimentation	10 V ~ 20 V	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	-	Rise / Fall Time (Typ)	70ns, 35ns
Emballage	Original-Reel®	Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms	DGD2104MS8-13DIDKR	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs	2	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Délai de livraison standard du fabricant	14 Weeks
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2.5V	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Non-Inverting	Côté haut potentiel - Max (Bootstrap)	600V
Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET	Configuration pilotée	Half-Bridge
Description détaillée	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO	Current - Peak Output (Source, Évier)	290mA, 600mA
courant de charge	Synchronous

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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