TPN7R506NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPN7R506NH,L1Q
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Livret des spécifications:	TPN7R506NH,L1Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	137537 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 137537 pcs

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Spécifications de TPN7R506NH,L1Q

Modèle de produit	TPN7R506NH,L1Q	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	137537 pcs	Fiche technique	TPN7R506NH,L1Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries	U-MOSVIII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta), 42W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NHL1QTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	26A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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