TPN11003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPN11003NL,LQ
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Livret des spécifications:	TPN11003NL,LQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	200561 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 200561 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de TPN11003NL,LQ

Modèle de produit	TPN11003NL,LQ	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	200561 pcs	Fiche technique	TPN11003NL,LQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries	U-MOSVIII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta), 19W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	TPN11003NL,LQ(S TPN11003NLLQTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)

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Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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