TPH1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPH1R005PL,L1Q
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 45V 150A
Livret des spécifications:	TPH1R005PL,L1Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	66721 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66721 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de TPH1R005PL,L1Q

Modèle de produit	TPH1R005PL,L1Q	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 45V 150A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	66721 pcs	Fiche technique	TPH1R005PL,L1Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Séries	U-MOSIX-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.04 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)	960mW (Ta), 170W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PLL1QTR
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 22.5V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	99nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	45V
Description détaillée	N-Channel 45V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	150A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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