TK25E60X,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK25E60X,S1X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Livret des spécifications:	TK25E60X,S1X.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	46232 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46232 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.683

50 pcs: $1.351

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500 pcs: $0.997

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Spécifications de TK25E60X,S1X

Modèle de produit	TK25E60X,S1X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	46232 pcs	Fiche technique	TK25E60X,S1X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	DTMOSIV-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	TK25E60X,S1X(S TK25E60XS1X
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	25A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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