SSM3K15ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSM3K15ACT,L3F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Livret des spécifications:	SSM3K15ACT,L3F.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1412565 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1412565 pcs

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Spécifications de SSM3K15ACT,L3F

Modèle de produit	SSM3K15ACT,L3F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1412565 pcs	Fiche technique	SSM3K15ACT,L3F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	CST3
Séries	U-MOSIII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipation de puissance (max)	100mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-101, SOT-883	Autres noms	SSM3K15ACT,L3F(B SSM3K15ACT,L3F(T SSM3K15ACTL3F(BTR SSM3K15ACTL3F(BTR-ND SSM3K15ACTL3FTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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