RN1611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1611(TE85L,F)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Livret des spécifications:	RN1611(TE85L,F).pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	766254 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 766254 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RN1611(TE85L,F)

Modèle de produit	RN1611(TE85L,F)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	766254 pcs	Fiche technique	RN1611(TE85L,F).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SM6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	-
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	300mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-74, SOT-457
Autres noms	RN1611(TE85LF)TR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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