UPA2825T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

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Présentation du produit

Modèle de produit:	UPA2825T1S-E2-AT
Fabricant / marque:	Renesas Electronics America
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Livret des spécifications:	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	125806 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125806 pcs

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Spécifications de UPA2825T1S-E2-AT

Modèle de produit	UPA2825T1S-E2-AT	Fabricant	Renesas Electronics America
La description	MOSFET N-CH 30V 8HVSON	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	125806 pcs	Fiche technique	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 24A, 10V	Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	8-PowerWDFN
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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