APTGLQ25H120T2G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTGLQ25H120T2G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	POWER MODULE - IGBT
Livret des spécifications:	APTGLQ25H120T2G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2805 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2805 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $14.089

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Spécifications de APTGLQ25H120T2G

Modèle de produit	APTGLQ25H120T2G	Fabricant	Microsemi
La description	POWER MODULE - IGBT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2805 pcs	Fiche technique	APTGLQ25H120T2G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.42V @ 15V, 25A
Package composant fournisseur	SP2	Séries	-
Puissance - Max	165W	Package / Boîte	Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC thermistance	Yes
Type de montage	Chassis Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	1.43nF @ 25V	Contribution	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	Description détaillée	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 50A 165W Chassis Mount SP2
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	50µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	50A
Configuration	Full Bridge

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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