DTB114GCT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTB114GCT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Livret des spécifications:	1.DTB114GCT116.pdf 2.DTB114GCT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2037264 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2037264 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.02

6000 pcs: $0.017

15000 pcs: $0.015

30000 pcs: $0.014

75000 pcs: $0.013

150000 pcs: $0.012

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Spécifications de DTB114GCT116

Modèle de produit	DTB114GCT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2037264 pcs	Fiche technique	1.DTB114GCT116.pdf 2.DTB114GCT116.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SST3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	DTB114GCMGT116 DTB114GCT116TR
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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