DTA114EEFRATL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTA114EEFRATL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Livret des spécifications:	1.DTA114EEFRATL.pdf 2.DTA114EEFRATL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1061410 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1061410 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DTA114EEFRATL

Modèle de produit	DTA114EEFRATL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1061410 pcs	Fiche technique	1.DTA114EEFRATL.pdf 2.DTA114EEFRATL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	EMT3
Séries	Automotive, AEC-Q101	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-75, SOT-416
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 5mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	50mA	Numéro de pièce de base	DTA114

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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