GBU6M

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GBU6M
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE BRIDGE 1000V 6A GBU
Livret des spécifications:	1.GBU6M.pdf 2.GBU6M.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	93077 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 93077 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de GBU6M

Modèle de produit	GBU6M	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE BRIDGE 1000V 6A GBU	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	93077 pcs	Fiche technique	1.GBU6M.pdf 2.GBU6M.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	1kV	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.1V @ 6A
La technologie	Standard	Package composant fournisseur	GBU
Séries	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	4-SIP, GBU	Autres noms	GBU6MGN
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Single Phase
Description détaillée	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU	Courant - fuite, inverse à Vr	5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	6A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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