MMDT5401Q-7-F

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MMDT5401Q-7-F
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Livret des spécifications:	MMDT5401Q-7-F.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	710708 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 710708 pcs

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Spécifications de MMDT5401Q-7-F

Modèle de produit	MMDT5401Q-7-F	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	710708 pcs	Fiche technique	MMDT5401Q-7-F.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	150V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type	2 PNP (Dual)	Package composant fournisseur	SOT-363
Séries	Automotive, AEC-Q101	Puissance - Max	200mW
Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Délai de livraison standard du fabricant	24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	300MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	200mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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