NSBA123JDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSBA123JDXV6T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Livret des spécifications:	NSBA123JDXV6T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4818 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4818 pcs

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Spécifications de NSBA123JDXV6T1G

Modèle de produit	NSBA123JDXV6T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4818 pcs	Fiche technique	NSBA123JDXV6T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SOT-563
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	500mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Autres noms	NSBA123JDXV6T1GOS NSBA123JDXV6T1GOS-ND NSBA123JDXV6T1GOSTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	NSBA1*

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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