NDT02N60ZT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NDT02N60ZT3G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4228 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4228 pcs

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Spécifications de NDT02N60ZT3G

Modèle de produit	NDT02N60ZT3G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4228 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	300mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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