IRFM210BTF_FP001

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFM210BTF_FP001
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223
Livret des spécifications:	1.IRFM210BTF_FP001.pdf 2.IRFM210BTF_FP001.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5538 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5538 pcs

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Spécifications de IRFM210BTF_FP001

Modèle de produit	IRFM210BTF_FP001	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5538 pcs	Fiche technique	1.IRFM210BTF_FP001.pdf 2.IRFM210BTF_FP001.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223-4
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 390mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	770mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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