FJN4314RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FJN4314RBU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5382 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5382 pcs

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Spécifications de FJN4314RBU

Modèle de produit	FJN4314RBU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5382 pcs	Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	300mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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