1N5408

ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N5408
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Livret des spécifications:	1N5408.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4717 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4717 pcs

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Spécifications de 1N5408

Modèle de produit	1N5408	Fabricant	ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4717 pcs	Fiche technique	1N5408.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	3A
Tension - Ventilation	DO-201AD	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-201AA, DO-27, Axial
Autres noms	1N5408OS	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	1N5408
Description élargie	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole DO-201AD	Configuration diode	10µA @ 1000V
La description	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD	Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1000V (1kV)	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 170°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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