Modèle de produit | TPN1R603PL,L1Q | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|---|---|
La description | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 96480 pcs | Fiche technique | TPN1R603PL,L1Q.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 10V @ 10µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Séries | U-MOSIX-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-PowerVDFN | Autres noms | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
---|---|---|
DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |