RN2310,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN2310,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Livret des spécifications:	RN2310,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2179605 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2179605 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RN2310,LF

Modèle de produit	RN2310,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2179605 pcs	Fiche technique	RN2310,LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms
Puissance - Max	100mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	RN2310,LF(B RN2310,LF(T RN2310LFTR
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	16 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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