RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1110ACT(TPL3)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1094133 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1094133 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.149

10 pcs: $0.107

25 pcs: $0.083

100 pcs: $0.063

250 pcs: $0.044

500 pcs: $0.036

1000 pcs: $0.027

2500 pcs: $0.024

5000 pcs: $0.021

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Spécifications de RN1110ACT(TPL3)

Modèle de produit	RN1110ACT(TPL3)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1094133 pcs	Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	CST3
Séries	-	Résistance - Base (R1)	47 kOhms
Puissance - Max	100mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SC-101, SOT-883	Autres noms	RN1110ACT(TPL3)CT
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	80mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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