HN4A51JTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HN4A51JTE85LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Livret des spécifications:	HN4A51JTE85LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4479 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4479 pcs

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Spécifications de HN4A51JTE85LF

Modèle de produit	HN4A51JTE85LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4479 pcs	Fiche technique	HN4A51JTE85LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	2 PNP (Dual)	Package composant fournisseur	SMV
Séries	-	Puissance - Max	300mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	SC-74A, SOT-753
Autres noms	HN4A51JTE85LFCT	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	100MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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