2SC2383-Y(T6DNS,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SC2383-Y(T6DNS,FM
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS NPN 1A 160V TO226-3
Livret des spécifications:	2SC2383-Y(T6DNS,FM.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4185 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4185 pcs

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Spécifications de 2SC2383-Y(T6DNS,FM

Modèle de produit	2SC2383-Y(T6DNS,FM	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS NPN 1A 160V TO226-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4185 pcs	Fiche technique	2SC2383-Y(T6DNS,FM.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	160V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TO-92MOD
Séries	-	Puissance - Max	900mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Autres noms	2SC2383-Y(T6DNSFM 2SC2383YT6DNSFM	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	100MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 1A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 200mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	1A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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