DTC123JMFHAT2L

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTC123JMFHAT2L
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Livret des spécifications:	1.DTC123JMFHAT2L.pdf 2.DTC123JMFHAT2L.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1720888 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1720888 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.086

10 pcs: $0.078

25 pcs: $0.056

100 pcs: $0.044

250 pcs: $0.027

500 pcs: $0.023

1000 pcs: $0.016

2500 pcs: $0.014

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Spécifications de DTC123JMFHAT2L

Modèle de produit	DTC123JMFHAT2L	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1720888 pcs	Fiche technique	1.DTC123JMFHAT2L.pdf 2.DTC123JMFHAT2L.pdf
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA	Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur	VMT3	Séries	Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms	Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Puissance - Max	150mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SOT-723	Autres noms	DTC123JMFHAT2LCT
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	7 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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