AUIRF7341Q

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AUIRF7341Q
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Livret des spécifications:	AUIRF7341Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4391 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4391 pcs

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Spécifications de AUIRF7341Q

Modèle de produit	AUIRF7341Q	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4391 pcs	Fiche technique	AUIRF7341Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5.1A, 10V
Puissance - Max	2.4W	Emballage	Tube
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SP001520152
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	55V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.1A

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Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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