SGW10N60RUFDTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SGW10N60RUFDTM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 16A 75W D2PAK
Livret des spécifications:	SGW10N60RUFDTM.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5198 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5198 pcs

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Spécifications de SGW10N60RUFDTM

Modèle de produit	SGW10N60RUFDTM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 16A 75W D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5198 pcs	Fiche technique	SGW10N60RUFDTM.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 10A
Condition de test	300V, 10A, 20 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/36ns
énergie de commutation	141µJ (on), 215µJ (off)	Package composant fournisseur	D²PAK
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	60ns
Puissance - Max	75W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	30nC
Description détaillée	IGBT 600V 16A 75W Surface Mount D²PAK	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	30A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	16A	Numéro de pièce de base	SG*10N60

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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