NSBC115TPDP6T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSBC115TPDP6T5G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
Livret des spécifications:	NSBC115TPDP6T5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	608215 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 608215 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NSBC115TPDP6T5G

Modèle de produit	NSBC115TPDP6T5G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	608215 pcs	Fiche technique	NSBC115TPDP6T5G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SOT-963
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	-
Résistance - Base (R1)	100 kOhms	Puissance - Max	339mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-963
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	14 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	NSBC1*

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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