NSBC113EF3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSBC113EF3T5G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS DUAL NPN
Livret des spécifications:	NSBC113EF3T5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	684075 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 684075 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NSBC113EF3T5G

Modèle de produit	NSBC113EF3T5G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS DUAL NPN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	684075 pcs	Fiche technique	NSBC113EF3T5G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-1123
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	1 kOhms
Résistance - Base (R1)	1 kOhms	Puissance - Max	254mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-1123
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	6 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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