2N5639RLRAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N5639RLRAG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Livret des spécifications:	2N5639RLRAG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5836 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5836 pcs

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Spécifications de 2N5639RLRAG

Modèle de produit	2N5639RLRAG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	JFET N-CH 35V 0.31W TO92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5836 pcs	Fiche technique	2N5639RLRAG.pdf
Tension - Ventilation (V (BR) ESG)	35V	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Résistance - RDS (On)	60 Ohms
Puissance - Max	310mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
type de FET	N-Channel	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3	Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)	25mA @ 20V
Numéro de pièce de base	2N5639

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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